西电两项成果获2018年度国家科学技术奖

2019年1月8日上午,国家科学技术奖励大会在北京隆重举行。党和国家领导人习近平、李克强等出席大会并为获奖代表颁奖。西电张进成教授作为获奖代表受到党和国家领导人亲切会见。

2018年度国家科学技术奖评选中,张进成教授所率领的研究团队获得了国家技术发明二等奖。张进成教授牵头完成的"微波功率器件及关键技术",提出了低缺陷材料生长方法、耐高温材料结构、高效器件结构和高可靠器件工艺,解决了材料生长、器件结构和制造工艺等制约器件性能提升的难题,突破了第三代宽禁带半导体电子器件的工程化应用,在下一代5G通讯、新能源汽车、物联网等国民经济和信息感知等国家安全领域具有广泛应用前景。

由学校电子工程学院刘宏伟教授与中国电子科技集团公司第14研究所合作完成的"相控阵雷达"获国家科学技术进步奖一等奖。


(图片策划:信息中心"西电时光" 栏目组;文章:冯毓璇;图片制作:小虎牙工作室)

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